但现在的仿真结果是环路增益小于1，既不能起振。实际上，该振荡器的实际电路起振没有任何问题，输出功率接近0dBm。
不知道为什么仿真结果不对，请高手指教！
附件中
第一张图是ADS原理图
第二张图是环路增益，非常奇怪的是，在5.8GHz附近，环路增益很接近1（大于0.99），相位接近0
顶一下，期待高手来解答，有没有用designer和HFSS协同仿真试试？振荡器的这类问题，用s参数模型仿真能否描述完全？
你的振荡器的结构是什么？负阻？接法没问题吧？S参数用在ADS作HB Oscillator分析好像是有些问题，以前用电感的S参数仿真振荡器就有过问题，后来改用spice model，所以你最好用ADS里的介质模型。另外建议用nexxim+HFSS仿真，nexxim仿真速度也很快，算法和ADS很像，可以动态链接HFSS仿真。
多谢回复！不过我这里是用OscTest求环路增益，判断是否起振。应该和谐波平衡仿真无关吧？
判断是否起振只需知道小信号S参数就可以了吧。
我的振荡器是介质振荡器，结构如图所示。圆形为介质块，带状的是微带线，微带线之间接晶体管基极和集电极
S参数仿真没必要用OSCTest，作HB Oscillator仿真采用到，你只要仿真BJT管子的S参数就行，判断它大于1才能振荡。你的介质怎么接到B与C之间？不对吧。应该是接到B就行了，Osctest的放置有问题吧。
我不是要做S参数仿真，后续肯定有HB仿真的。但OscTest的原理应该是det{[S介质][S晶体管]-[I]}=0吧？因此我觉得只需要知道介质和晶体管各自的S参数就可以判断是否起振了。
我的接法如图所示。用画笔画了个超级土的图（发射极直接接地）。
这个振荡电路的原理/类型是什么？我只要看过DRO+负阻的振荡器。你可以改变osctest的阻抗看看S参数有什么变化。
这个振荡器的类型我也说不上，就是DRO吧。原理我理解就是晶体管放大，介质块（Q值极高）选频，形成正反馈回路。
OscTest的阻抗改为0.1 Ohm之后的S参数如图所示。
最让我感到奇怪的是，为什么我仿出来的S参数都那么接近1，但就是不大于1呢？
可能就是没振荡阿。DRO一般形式不都是接到负阻上的么？你的这种结构从哪弄来的？有没有相关的paper。你可以改成负阻振荡器的形式看看。
不会没振荡的，PCB都做好了，已经实测过了，集电极输出，输出功率接近0dBm（楼主帖已经说过了）。
这种结构来自一个现成的产品，目前我的尺寸参数基本是抄它的。
你说的负阻式是什么样子啊？能贴个图吗？
你说的是不是那种Injection Locking式的啊？
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