如题，我在设计PA（电源12V,电流1A,射频频率1.2GHz)的偏置网络（如附件所示）时遇到问题，MOS管的漏极电源路径需要一个隔离功放输出射频信号的元件以及旁路电容，现在对这几个元件的值不知道该如何选择，具体问题如下：
1，隔离射频信号的元件用磁珠还是用电感？
（1）如果是用磁珠，发现磁珠抑制高频信号的频率一般都<1GHz;
(2)如果用电感，电感的值该如何选择？我的理解是电感的自身谐振频率就在我的工作频率（比如1.2GHz）,此时对射频信号的阻抗很大，可以隔离射频信号，但是这样的电感的的直流电阻比较大（比如线艺的mini直流电阻值7.9ohm）,这样会产生约8v的电压降，是个问题？
（3）用1/4波长短路微带线是否直流电阻很小，同时对射频信号抑制比较好？我的FR4，发现微带线长度3.7厘米，老大说太长了板子空间不够，请问别的方法来解决这个问题吗？
2，电容C1、C2、C3作用和值该如何选择呢？谢谢大家啦！
附近怎么不显示？再发一次：
coilcraft DCR的单位是mOhm;搞清楚单位；7.9欧姆能把人吓死。
电容值选几个差不多的，自己试验吧， http://www.coilcraft.com/midi.cfm
谢谢提醒，是我看错了，是7.9mohm.
磁珠好像很适合高频啊
电容的选择：
1.电容在高频应等效为L,C,R的串联，存在自谐振频率；
2.并联三颗的意思是使其自谐振频率有一定的间隔，使得较宽频带内都是高导纳，良好接地，防止电源对MOS器件的干扰；
3.电容的选取应该遵循量级差距以上的选择，同时靠近电源的为大电容，靠近MOS为小电容
例如：c1=102pF，c2=104PF,C3=100UF
4.根据公式F=5400/SQRT(C),其中F单位为MHZ,C单位为PF
现谐振频率为1.2Ghz，因此C1=1329PF,C2=101102pf，C3=104224PF
电感的选择：
1.电感在高频应视为R,L,C的并联；
2.这里是作为CHOKE使用，使得在谐振频率处阻抗大，RF信号不往上走；
3.根据公式F=8920/SQRT(L),L单位为nH；
4.现频率为1.2G，则L=3880nH；
5.一般这里L的阻抗为数K欧姆就可以了，太大或者太小会影响稳定性及增益
c1=102pF，c2=104PF,
表述有问题吧？
102是器件编码？
102pF是1nF
104pF是100nF
恩 厉害学到东西了
收获不少在！谢谢啦！
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