达人帮我看看啊，谢谢诶
哎呀，这个问题我也想知道答案，哪位大虾解决一下，谢谢了……
pb模型一般是用来做直流工作点的扫描，你要看S21，就要对S参数进行仿真，需要建立sp模型。
ps:晶体管的sp模型已经建立了对应的工作点，不需要加偏置电路。
可是很多的器件没有sp模型,那怎么办啊，而且实际电路还是要自己做偏置，只用sp模型并不知道它的偏置电量具体是怎样。这些怎么解决，楼上能说下吗，谢谢了
回楼上的：
你的这个问题好解决啊，在pb模型中加入偏置电路，设置直流仿真，在simulation setup 中将“Open Data display……”前面的勾去掉，F7结束后，点“simulate——>Annotate DC Solution”就会显示直流结果，调整偏置电路的参数即可得出正确的偏置
我的问题是，实际设计中需不需要在pb模型中加入偏置电路后进行S参数扫描，我试过的这样好像和sp模型提供的不一样，还希望高手来解惑
用pb模型进行S参数扫描应该是要加入偏置电路的。结果和sp模型提供的确实有差，这我也不知道为啥，一起等候高手解答
pb模型应该是加入了外围封装电路后的模型，sp模型是小信号线性模型，当然有差别了
两者是有差别的，这个我知道的，
pb模型：是仿真直流
sp模型：仿真s parameter
我的问题：
我用pb模型加上bias后再放到电路里面仿真s参数，拿加上bias后的pb模型来代替sp模型的，这没有问题吧？但是这和我实际实验做出来的不一样，差别很大。这是为什么？
声明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需更专业系统地学习ADS，可以购买资深专家讲授的ADS最新视频培训课程。
