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ADS相位噪声的仿真问题

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我在设计一个振荡器,频率2G左右,在用HB仿真相位噪声时遇到一个问题,谐振回路中出的电感用有Q值的那种,Q设置成200时,仿真的相位噪声是-115,但是当Q值调到400后,相位噪声反而变差了,变成-112,当用一个理想的电感代替带Q这种电感后,相位噪声变成-105,对这个结果我感到不解:理论 上Q值越高相位噪声越好,为什么Q设成400后会变差呢?!而且用一个理想电感代替带Q的电感后,相位噪声也应变好,为什么反而变差呢?请高手赐教啊

个人之见,仅供参考:
首先你要搞清楚影响相噪的是哪个Q值(QL-有载Q值,Qe-外部Q值,Qo-谐振器的固有Q值),是有载Q值决定相噪,
而你所说的Q就是谐振器的固有Q值,不是有载Q值,一般来说设计的QL约为1/2-2/3Qo时相噪最好,并不是Qo越高越好,你要考虑的是怎么设计你的匹配电路(具体还要分你你是串联谐振还是并联谐振)让QL最为合适,理论上来说QL越大越好,但是QL大了插损也大了,电路就不容易起振了

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