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ADS中做功分器版图仿真时隔离电阻的定义

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在做1分4微带型Wilkinson功分器版图仿真时,隔离度在-18db左右,除S11外反射系数在-13左右,S11有-30db,但插损和相位效果比较好,插损在-6.1--6.3间,不知是否是隔离电阻定义的不对,首先是100欧的隔离电阻在Momentum中仿真时是不是需要转换单位?也就是说TFR的阻值不是100 ?在有在Substrate中如何定义电阻所在的层?是不是与导体cond同层?resi层中电阻的值是不是也要换算?单位ohm/square与隔离电阻的100欧之间是什么关系?仿真时短口设置有没有特殊要求?问了老多问题请大家帮忙,多谢了!

谢谢哈
看到这些,自己可以认真学习下

首先回答第一个问题,如果是100欧姆的电阻,是要转换单位的,转换成欧姆每平方,要看你电阻加上去后没有和功分器相连的部分的面积,换算一下
第二个问题,电阻不是放在cond层的,要在momentum中另外定义层,有几个电阻定义几个层,然后再与cond层strip一下
最后的问题,端口设置没有啥要求
以上回答不知道是否解答了你所有的疑问?

你好,我刚接触ADS不久,在学习功分器的设计。对隔离电阻TFR的参数设置不大懂,想请教你一下。比如我现在阻值为100欧姆的隔离电阻,这个阻值跟它的W、L、Rs等参数之间是什么关系?我刚刚看到你说的要转换成欧姆/面积,不明白是什么意思。我查了一下,Rs是表面电阻率的意思,不明白这些参数如何设置,请不吝赐教。非常感谢!

要用薄膜电阻。

学习一下

学习

4楼的问题,。我也想问

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