自己顶一下啦
我也遇到这个情况，目前只是用公司给的小信号s参数设计
有没有好的方法，继续讨论进行中.....
功放大师在哪里啊，急啊，呵呵
参考examples-> tutorial->testlab_howto_prj
非常感谢azn2004的回复。我看了例子，讲的是BJT的小信号模型和S参数之间的提取问题，也没有讲怎样计算模型中各个参数的初始值，还是不太明白啊。
大家在使用GaAsFET管子（只有S参数的情况下）是怎样设计功放的，几W到几十W的功放，因为只仿真增益的情况下，一般不能达到最大的功率输出，而且调试量较大；各位高手还有什么其他方法啊，可以设计出几乎免调试的功放，请不吝赐教，期待学习啊
我不知道你做的的什么频段的PA 。我这边是做C波段Ka波段的，射频微波是不存在免调试的，就算几乎免调试也不可能存在。你刚说的“管子的寄生参数”这个本身还是理论值，算一个伪命题。 这些参数跟各个环节有关系，比如功放管设计的封装、管脚...你焊接到电路基片上的焊料特性、形状、电导率、寄生电感.....电路板工厂给做出的基板的表面电导率误差等等等....
非常感谢yjzmj的回复！
我以前做的几W的小功放也都是由小信号S参数（没有模型）进行增益、驻波、稳定性等设计，无法得到输出功率的能力；L、S、C、X等波段的功放都做过，发现每次的设计结果与实际调试结果都有较大的偏差，都需要调试，主要原因就是：在用S参数进行的最大增益设计不能保证有最大的输出功率（因为实际上不满足最大功率对应的负载阻抗），仿真只能作为参考设计，然后要凭借经验进行调试达到需要的指标。最近看到一些论文上介绍的方法，看有些都是重点院校以及研究所工程人员发表的，所以我也想试试效果如何。如果得出寄生参数按照最佳负载线法进行设计，可能调适量会小一些，我还在设计之中等完了，和以前的方法对比一下，就可以验证这种方法的优缺点啦。
期待好的设计方法分享啊
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