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反向散射调制电路的仿真

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用Term1 端口模拟天线的50Ω输入阻抗,用Term2模拟50Ω的微带线,它们之间插入一个远远大于50Ω的电阻和FET(ATF21170),通过改变FET的栅极电压来实现阻抗的变换,当栅极电压≤0时,FET导通使得天线的端口短路,根据S11=20lg|(Z天线-Z)/(Z天线+Z)| ,天线阻抗为0 此时S11=0dB 实现全反射,当栅极电压大于0,FET截止,Z天线约等于Z,(Z=50//4.7K)此时全吸收。
可是改变栅极电压时,S11参数没有变化,不知道该怎么设置仿真环境呢?

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FET模型用错了,你用的sp_xxx这种是在特定电压下测出来的s参数,不需要外部电路来供给直流,你改电压不会对它有效果
如你图上显示,你这个模型是在Vds=3V Id=20mA时测定的

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