以上是简要的介绍。本人有以下几个问题:
1.我要仿真S参数是用大信号模型还是小信号模型。
2.如果用大信号模型仿真S参数时,漏极是否也需要加上电压。
3.其次在进行S参数仿真时,如果加上偏置电压,是否需要使用DC_Block和DC_Feed.
4.对于开关指标来说,隔离度是指开关断开时的S21吗?
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小信号模型就是这样的 只有给定偏置点的状况
1,仿S参数可以用小信号模型
2,大信号模型需要加偏置
3,大信号要加,小信号模型不需要偏置
4,是的,隔离度和插损都是一个东西,只是在不同情况的不同名称而已
那么用大型号模型时漏极是不是也要加电压?
还有用大信号模型时应该需要DC_block和DC_feed?
大信号要加偏置,要加DCblock/feed
我对楼主的第四点解释有点疑义,我认为隔离度和插损不是同一个东西。如下图,S23和S32表示隔离度,S21和S31表示插损,它们所表达的意思不是一样的。以上仅是我个人的看法,我是一名新手,期望一楼的版主批评指正小弟的错误之处,谢谢。
隔离度一般是指输出端口之间的参量关系,插损是指输入和输出端口之间的关系。
在功分器里面隔离度和插损当然不是一个东西
我在2楼里指的是在开关里面关上时,S21指的是隔离度,打开时,S21指的是插损
不好意思,新手不懂,多谢指正。
大哥能不能提供以下PHEMT的PDK啊。老是找不到。想做一个功放
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