?针对射频功率放大器设计的技术突破和创新 —— 包括多芯片模块电磁场 FEM 仿真、为新的 Agilent NeuroFET 模型提供支持、新型电热仿真器、ADS 负载牵引和放大器设计指南的多项更新。
?可用性改进 —— 包括轻松共享工作区（归档/解档）、停靠窗口、高效的搜索和导航功能、三维电磁场元器件集成。
?提高与 EMPro 的整合程度 —— EMPro 2012 包括与 ADS 2012 的进一步整合，以及对仿真器的多项增强，以便改善产品性能和加快产品开发。
描述
安捷伦先进设计系统（ADS）2012 具备新的功能，可改善所支持应用的工作效率，并为 GaAs、GaN 和硅质射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。
技术突破和创新
针对射频功率放大器设计的技术突破和创新包括：
?多芯片模块有限元方法（FEM）电磁场仿真可以分析 IC 和互连之间的电磁场交互，典型多芯片功率放大器模块中的导线焊接和倒装芯片焊接凸点。
?针对新型人造神经网络的 Agilent NeuroFET 模型（通过 Agilent EEsof IC-CAP 器件建模软件提取）提供模型支持，获得更精确的 FET 建模和仿真结果（例如大功率 GaN FET 放大器）。
?提高与 Electromagnetic Professional（EMPro）软件的整合程度。EMPro 中的三维电磁元器件现在可以另存为数据库单元，直接在 ADS 中使用。
?新型 ADS 电热仿真器。它以整合到 ADS 的全三维热求解程序为基础，结合了动态温度效应，以提高“热感知”电路仿真结果的精度。
?ADS 负载牵引设计指南增添了多项更新，包括失配仿真，用于表示器件或放大器对负载 VSWR 或相位角的灵敏度。
?放大器设计指南增添了多项更新，可轻松查看在特定输出功率或增益压缩上的放大器性能。
更多新的功能
用户界面和设计管理
?停靠窗口和选项卡式窗口以及对话框
?元器件搜索——快速查找设计层中的对象
?网络领航员——确认节点连通性
?灵活的归档和解档——实现工作区的资源共享
?增添了数十种原理图和版图用户界面改进
?支持第三方设计管理/版本控制工具（Cliosoft）
版图
?创建多层互连——复制和扩大简单与复杂的结构
?把元器件锁定在固定位置
?标尺和尺寸线的改进
?ADS 台式 LVS 的改进
?版图命令行编辑器——启用 cookie 剪切器，能够移除版图中的全部导线
仿真
?更快的线性速度——自动启用线性控制器中的线性网络人字板（Linear Network Collapser）
?改善聚合/扫描特性——如果遇到聚合问题，忽视并继续操作
?并行计算——更快速的瞬态 GPU、仿真管理器使用瞬态/聚合 8 个一组许可证对并行仿真器进行设置和控制
提高与 EMPro 的整合程度
?与 ADS 进一步整合—— 通用数据库允许您将三维元器件内置 EMPro 直接放置到 ADS 原理图和版图中。EMPro 与 ADS 共享数据库，为两者的更紧密整合奠定了基础。EMPro 中的三维对象可以另存为 ADS 设计数据库中的“元件（cell）”，直接在 ADS 中使用。例如在 EMPro 中创建的 3-D SMA 连接器元件，其“元件视图”现在可以直接放置到 ADS 原理图中进行电路/电磁协同仿真，或放置到 ADS 版图（例如用于射频印刷电路板）中，在 ADS 中进行全面的三维电磁仿真。直接集成可优化设计流程，使电路设计人员能够更早地使用全面的三维电磁场建模能力。只有 ADS 2012 才能提供三维电磁场分析和射频/高速产品设计之间的这种互操作性。
?全新低频分析算法——改善 <100 MHz 的仿真精度（包括直流 DC）。高频电路仿真需要在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果。EMPro 2012 还将在电磁仿真技术方面引入多项改进。全新低频分析算法可改善有限元法仿真在 100 MHz 以下（包括直流）的仿真精度。以前的 FEM 求解程序很难在直流和低频范围内生成精确、稳定的结果，无法满足后续的电路仿真甚至更高频率应用的需求。
?FEM 网格技术使速度提升 50%——安捷伦还提供增强的 EMPro FEM 网格技术，以便提高速度（通常加快 50％）和稳定性。
ADS 2012 即将上市！
ADS 2012 预计在 2012 年 10 月开始发运。点击试用和许可证选项卡，下载软件和/或申请免费试用。如欲了解该版本增添或改进的特性与功能，请参见先进设计系统 2012 更新。
如果您已经准备使用 ADS，请填写并提交演示软件申请表。
查看其它的 ADS 产品版本。
声明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需更专业系统地学习ADS，可以购买资深专家讲授的ADS最新视频培训课程。
