我选择的是freescale公司的MRF8P20165WHR3芯片进行的设计。根据设计,主功放栅漏电压为2.7,28V,辅功放栅漏电压为1.3,28V,完成Load-Pull,Source-Pull等工作后进行Doherty整体性能测试,满足效率大于40%(非LTE信号测量)。对已完成的Doherty功放进行封装后,在dsp中进行测量。
LTE5载波数据为实验室已有数据,采样率为122.88MHz。通过DF和Envelope设置想在频域进行测量观察dbm变化。敢问大神DF和envelope应该怎么设置才是对的,还是数字域电路搭的本身就是有问题的,求指教
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