现在位置:首页 > 微波射频和天线设计 > CST微波工作室 > CST使用讨论 > 有关CST MWS TDR后处理问题

有关CST MWS TDR后处理问题

录入:mweda    点击:
如图所示,我处理我做了TDR的阻抗分析,其中有两种阻抗方式:TDR-from S-parameters & TDR-from time signal ,我分析类型为MWS -transient solver ,现有如下几点问题:
1. 为何两者的阻抗数值相差将近0.8欧姆?
2.为何time signal TDR起始值有300ps 100欧姆的保持值?
3.频率范围为0-3.5Ghz,此最高频率是由help文件里 0.876/250ps得出的,但是如果想看300ps TDR的阻抗该如何看?是否必须再重新设定频率 运行一次呢?

\

是否有人用过这个功能呢?

1、哪里的阻抗差了0.8欧姆?建议用time signal 进行TDR计算,TDR是用时域信号直接算得的,如果用S参量则中间多经过了一次时域到频域的转换。
2、从TDR结果上看,模型的输入端口阻抗为100欧姆。
3、需要重新设置。

1. 我说的0.8欧姆是指最小值那里,TDR impedance就是根据反射来得出的,我不认为两者会有转换的误差哦
2. 我主要是想问,为什么是延迟了300ps ?
3. 谢谢对这点的确认,呵呵 方便的话加我QQ吧 277971459

呵呵
1TDR from time signal 是直接输出信号和输入信号来计算的。 TDR from S par,是从S 参量计算的。S参量是时域输入输出信号傅里叶变换后的比值。
2、延迟了300ps,是否是模型的输入端100欧姆阻抗的输入长度呢?

非常抱歉,回复有点晚
我认为延迟300ps,是因为激励信号的原因哦。0-10G 带宽的话,出来的高斯脉冲恰好最高点是在170ps,然后在时域里面反射回来的话,时间翻倍,正好是300ps左右的样子,不知我这个说法是否正确?

声明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需更专业系统地学习CST,可以购买资深专家讲授的CST最新视频培训课程

上一篇:一般CST PCB工作室只能仿真6层板的PCB,如果只进行PI仿真能做多大规模的?
下一篇:CST仿真金属板RCS的问题

CST视频培训教程
CST天线设计培训教程