这个微碟谐振腔由放置在微碟中的Discret Port, 电压1v,方向如图,作为激励源, 为了观察相关的谐振特性,在微碟上放置了Hz的Probes,Probes的位置,就是相应的场强最大值的位置(在之前的仿真中确定的)
理论上这个模型的谐振频率应该在681.8THz.
我做了两次仿真,都用的是时域求解,所有的设置都一样,只是频率范围
分别为
第一次 650THz-750THz
第二次 660THz-700THz
却发现,对应的相同Probe Magnitude结果差别很大...如图,显示了该谐振腔的Q值差别很大,请问这个如此大的误差是如何导致的?有没有办法可以避免?因为如果频率范围设置小的话,会导致仿真时间很长...
用的什么边界？
有没有对比过网格划分的区别？
首先感谢hefang的这么快的回答.
边界都是open.
网格密度我觉得应该够了,请看图...感觉不像是由这个引起的..
不客气，我是指两次网格的对比。
目测网格划分应该没有什么区别
实在是很费解为什么结果差别如此之大..
模型其实非常简单...
就是一个微碟,Microdisk
为了节约仿真时间,我在模型的中间,设了XY平面上的Ht=0的,对称面.
在垂直方向上的电场的场图如下
你这个图，我什么都看不出来，我都不知道什么是微碟。
模型保密吗？为什么不上传呢？
根据不完全统计，直接上传模型，能节省80%以上的时间来解决问题。
模型可以上传,是我误会了站长的意思,抱歉,我现在就传.谢谢了.
nur_1_Mikrodisk_vr_60nm_r_4717.zip (1920 K)
今天又问了一下老师,他也说这个情况很有意思
他建议我增加Accuary看结果会不会有变化.我原先默认的是-30db,现在改成了-50db
不过这个仿真时间就比较久了,已经放到服务器上跑起来了,有结果向大家汇报.
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