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在CST微波工作室做了一个简单的串联谐振电路的模型，想利用铜片自身电感再加上外加的集总电容调整谐振频率，按说串联谐振时谐振频率电阻上的电压应该是最大的，不知道这么看是不是对的。这个模型还有一个问题就是不管怎么改变集总电容的电容值，电阻上电压最大时对应的频率一直没什么改变，就算不加电容也是这样，不知道这是怎么回事，那位工程师帮忙解释下啊，先谢了
我把模型做了修改，删掉了平面波激励，另外把电流源改为了电压源，改后的文件名叫RFID
先帮楼主描述一下他的模型文件： 
一个环形copper结构，开口处串联连接一个1 A电流输入discrete port，一个1000 ohms电阻，一个0.1 pF电容。模型同时包括plane wave excitation，置于X轴正方向边界处。边界条件使用"Open Add Space"，全局网格属性：“10、5、20”。 
仿真得到的lumped network element的Voltage： 
仿真得到的lumped network element的Current： 
仿真得到的lumped network element的Impedance： 
首先是关于模型本身的问题：
1. Plane Wave Excitation的目的是什么？
2. 为什么一定要用两个lumped network element？用一个像下面这样可以么？
接下来是原理部分的问题：
1. 电路谐振的原理是什么？谐振发生时，电路元器件有什么样的特征？为什么谐振时电阻上的电压是“最大的”？你确定吗？
2. 铜片自身的电感是多少，这个你知道（或者估计过）么？有没有事先估算一下这个模型的理论谐振频率应该是多少？假设这个模型谐振于某一频率，那么通过1000欧姆和0.1皮法你可以计算出电路的等效电感是多少么？
3. 至于改变电容值，楼主更改电容值的范围是多少？有没有预先演算一下如果要调谐到某一频率，预计电容值应该是多少？在你的模型上，更改电容值确实很难看到变化，我暂时不清楚背后的原因。
楼主模型，更改C = 34 pF，和原仿真结果近似：
4. 如果使用楼上单一lumped network element的建模方法，取不同的电容值，得到以下的图：
C = 0.1 pF，电压有明显波纹，但是峰值频率点接近：
C = 34 pF，电压有明显变化：
更改这个帖子的分类，大家一起来讨论。
首先感谢站长的细致分析，Plane Wave Excitation是默认的，我没设置过，已经删掉了，但重新仿真的结果没有发现明显变化，用两个lumped network element是为了分别观察电阻和电容上的电压和电流
1.我原来设置的是离散端口是1A的电流源，可能谐振的时候电阻上的电压不是最大。我把它改为1V电压源，按照串联电路谐振理论，谐振的时候电路中电流最大，那电阻上的电压也应该是最大的吧，但得到的结果却不是这样的。
2.理论计算，铜片的电感大约是0.556uH，电容设成0.1nF时谐振频率大概是21.35MHz。目前没固定谐振频率，只是想看看不同电容值时能不能查看到谐振频率。
3.电容变化范围很宽，从pF到F都试过，变化都不大，不知道什么原因。
大家看看谁有好的办法，怎么看谐振频率，能不能通过S参数之类的来看，谢了
改成电压源后，电阻上的电压如图。谁能解释下，这可能是什么原因啊
我也想看这个啊,学习一下了.
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