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CST MS屏蔽效能

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以前讨论过屏蔽效能的问题(帖子名称:),用的是MWS,但是机器配置低,仿真得到的结果有很多毛刺,不好使。

MS也可以做频效,建好模型后,内部电场可以用探针监测,但没有屏蔽体时改点的电强怎么获得,who knows?

没用过MS,等lantianyi……。

嗯,谢谢关注,偶继续等

急啊,但还得继续等

来啦!
MS没有屏蔽时的场值可以有两种办法获得:
1、将“屏蔽”层设置为空气,然后再仿真一次,就得到没有“屏蔽”的场值了。之所以不是直接将屏蔽层删掉,主要是考虑到要有一个实体将网格占住,不然仿真的时候探针可能都在有效仿真区域之外,网格总数也很少,也就是一个无效的仿真。
2、如果是用默认平面波激励的话,那么没有屏蔽的那个场值在频域上各点均为1V/m(除了频率范围最后的5%,比如设置的0-1G,那么几乎在0-950MHz内各点场强都是1V/m),也就是0dBV/m,60dBmV/m,120dBuV/m。
MWS的毛刺问题上次hefang已经详细解答了嘛~

了解,但ms中的SE结果和mws中的SE结果有不一致的地方,过会上图

使用MS计算SE
模型材质为空气时中心E场:

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模型材质为Al时中心E场:

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计算得到的SE

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与理论值和MWS中计算的SE趋势类似,但SE值有区别,整体上差了约20-30dB,怎么个解释呢?
理论上应该是:

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mws的结果:

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这是模型,欢迎讨论

SE.zip (37 K)

木有做过,只能坐等专家了

我用楼主的模型试了一下
我延长了一下仿真时间,到60000mm(distance),得到如下结果:

\

要判断仿真结果是否可信,有一个办法就是看时域结果的衰减,我查看了一下时域结果,如下:



也就是说衰减还不完全,我想,仅是我想,延长仿真时间,应该会得到更接近的结果。

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