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HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件?

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HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件? 因为之前尝试使用LUMPER PORT端口,辐射边界是包围电路的air腔体 在使用WAVE PORT,腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小 请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界?这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗?这样的结果是否是准确的 因为看hfss的一个full book里面的一个via模型,也是按WAVE PORT设置的,电路板的边界与空气腔体全接触,使用的也是辐射边界
另外,好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面 它跟辐射边界有什么区别么?
希望有经验的朋友指点指点,一直比较困惑

哈哈,别怪我捣乱,我是来顶贴的,我也想知道这个问题,呵呵

“wave port是以平面能量來計算,lump port是以V/I來計算,理論上兩者可以得到同樣的S-parameter模擬結果。”
有介绍是这么说的,但如果存在差异问题可能在哪里呢?

我也遇到了同样的问题,仿真了一个30GHz的带通滤波器,使用波端口时仿真结果比较好,但是加了集总端口时效果变差了,不知道是什么原因?!请各位工程师指点迷津啊!

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