我简述我的任务吧：
我需要比较两个结构的差异：结构a，同轴圆筒电容；结构b，同轴圆筒电容外表面有波纹起伏。主要是高频仿真，比较一下RLGC参数，由于没学过传输线理论，只是简单地懂一点，所以还看了一些书。
如图所示：
然后呢，由于结构微细结构太过繁杂，电脑跑不动。我于是想建立局部的模型，由于结构b的。如图，结构c与结构d
如图所示：
我的不懂得地方主要是：
1.边界条件设置：我假设d结构上下表面是perfect E，前后表面是perfect H。我不知道这样设定对不对啊。
2.波端口：左右设定为波端口？我看例程里好像没有相似的。不太会设定啊，怎么表达好呢？是一个设为波端口，一个设定为radiation？
3.求解：最后看报告是怎么看RLGC参数的？这个不懂。
我就是想得到结构c与结构d的RLGC参数的比值求指导求点评
感觉第一个就是同轴线吧.不懂.
就是同轴线啊，我不懂怎么设置啊？
。想想
应该是本征模式计算吧！
微波技术.pdf
你看一下上面书籍的230页的“谐振腔的等效电路”，看是否有帮助。
声明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需更专业、系统的学习HFSS，可以购买本站资深专家讲授的HFSS视频培训课程。
