微带天线，lumport馈电，馈点阻抗一般只设实部resistance：50欧姆，虚部reactance：0欧姆 仿真后vswr在2左右，但total gain比realize gain高3dB多。
然后，改变馈电阻抗，实部100欧姆，虚部为0，仿真后vswr稍有变化，变化很小，total gain不变，realize gain提高将近2dBwhy？
基本上，realize gain与馈电阻抗成正比
另外，如果改变虚部的话，比如 实部50欧姆，虚部-40欧姆，vswr稍有变化，realize gain也有明显提高
请教资深工程师这个是怎么回则事？
期待解决#@@
你好，你可以翻看一下realized gain的定义先
realize gain 就是加入了一些端口损耗的增益，在totalgain不变的情况下，以往的经验是realizegain 与VSWR有很直接的关系，但现在这个现象 例外了 所以不解还请指教
你从50欧变到100欧后的驻波比变化会很小吗？假设你的端口对50欧阻抗完全匹配，这个时候VSWR等于1，但是对100欧VSWR是2，所以我对你说的驻波比变化很小表示怀疑。
嗯对，你说的没错，但是我把后面的port renormalization 也改为100欧姆了，所以本来端口50欧姆的，port renormalization也是50欧姆，后面全改100了，对应归一化就是除100，所以VSWR变化不大，根据频段的，有些影响较大，有些较小
不错的，谢谢分享！
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