我在做片上集成功率放大器，在高频下互连线对匹配的影响很大，特别是连接电感的互连线更是如此，所以我在用HFSS仿片上双互连线之间的互感。我设想的仿真模型从下到上依次是：硅基、二氧化硅、金属互连线（铜线，长方体）。但是仿真激励和边界条件不会设，网上也找不到相似的例子，所以想请各位资深工程师能指点迷津，说一下怎么设置边界条件和激励？我也不清楚我的仿真模型是不是可行的。谢谢诸位了！
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硅基双互连线的互感怎么设置激励和边界
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各位资深工程师：
我在做片上集成功率放大器，在高频下互连线对匹配的影响很大，特别是连接电感的互连线更是如此，所以我在用HFSS仿片上双互连线之间的互感。我设想的仿真模型从下到上依次是：硅基、二氧化硅、金属互连线（铜线，长方体）。但是仿真激励和边界条件不会设，网上也找不到相似的例子，所以想请各位资深工程师能指点迷津，说一下怎么设置边界条件和激励？我也不清楚我的仿真模型是不是可行的。谢谢诸位了！
我在做片上集成功率放大器，在高频下互连线对匹配的影响很大，特别是连接电感的互连线更是如此，所以我在用HFSS仿片上双互连线之间的互感。我设想的仿真模型从下到上依次是：硅基、二氧化硅、金属互连线（铜线，长方体）。但是仿真激励和边界条件不会设，网上也找不到相似的例子，所以想请各位资深工程师能指点迷津，说一下怎么设置边界条件和激励？我也不清楚我的仿真模型是不是可行的。谢谢诸位了！
