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典型EBG结构在HFSS中的仿真,激励和边界设的是否正确?

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还有就是主从边界条件对话框中的TE和TM是什么意思,其中的m和nEBG模型
Project1
具体该如何设置。
谢谢了

電磁波極化方向還選模態!m,n是指電磁波的模態(mode)

TE 橫向電波
TM橫向磁波
至於那是啥?
請自個兒翻書

為何下載你的東西還要付幣?

為何下載你的東西還要付幣?
還有,要怎麼設置?這要看你要做甚麼?已經告知您那些的定義。

這個麼你都不勾選估計就是TEM了
你的模擬方式我也是那樣設定的。如果你要用到斜射,您那個方法是很簡便的。
僅此或許我們可以討論

看看

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资深工程师,我已经看过了你给的参考资料。对于FloquetPort计算出来的答案我不太能理解
如果想要算出周期材料的S参数,同样是在Driven模式下,使用HFSS里面的Floquet Port激励,得到的结果在查资料时解释说(Floquet Port 1:1,FloquetPort1:1)是模式1的S11,(Floquet Port 2:1,FloquetPort1:1)是模式1的S21.
请问这个解释是不是对的
在我的仿真中,为什么几次算出来,(Floquet Port 2:1,FloquetPort1:1)得到的结果都是inf
希望您能多多指教

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