什么意思？端口的激励大小是可调的，激励决定以后，各地方的场强是根据你的结构决定的。
就是想通过优化结构参数来达到增大场强的目的。
不懂，能贴图说明么？
，如图矩形脊波导，我想通过优化脊的深度来使得场强增大，应该怎么设置？
脊的深度增加，中间的场肯定就增加了啊。但相应的参数也就变了。
我就想能不能用optimization来优化，优化目标是场强。
那我也不会。
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