平面波入射，激励和边界的设置问题？

说明：仿真模型如图所示,其中包括一个通过分别设立理想电壁(PEC)对和理想磁壁(PMC) 对形成的二端口矩形波导,波导中填充相对介电常数为2.2 的介质(聚丙烯材料) ,而4 个异向介质单元则放置在波导中间,并且在每个端口上入射波均沿法向方向从真空中向波导中传播,这样,该仿真模型将能够对均匀平面波沿法向方向照射具有4 个单元厚度的半无限大异向介质平板的电磁波反射和透射特性进行有效模拟。
这属于一个平面波入射激励的情况，我不明白波导端口1和2的边界条件该如何怎样设置？谁能提供一个平面波激励的例子？具体的激励如何设置？帮助文件讲的实在太简单了。这方面的资料也很少呀。

我用XFDTD做过类似的仿真，如果xz面是PEC边界，就把入射波极化方向设为沿y方向极化，端口12的边界用吸收边界就可以了。HFSS没有用过，你可以试试。

谢谢关注,端口1和2设为PEC还是吸收边界呢?PEC不对吧？
激励设置时选择WAVE PORT.然后定义Polarize E Field 呢? 还是选择Incident Wave>Plane wave.
要设置端口，与平面波入射好象矛盾呀？
现在还很糊涂？

一般来讲两种求解模式，第一种是用waveport激励，当成波导求解，另一种使用incident wave激励，端口之后加吸收边界来求解。论坛上好像有类似的资料，楼主不妨找找看

感谢提示,研究中..

这个工作是用CST作的,CST论坛上的朋友告诉我这是他师兄的论文,是设置的波导端口激励,不知和平面波激励会有多大的不同?
软件还在学习中,弱问如果波导端口激励,端口12两个面上设不设边界条件啊?

我认为不设，端口1，2处什么也没有，只是端口，所以只设激励就够了。而且，我觉得一个面上既然设激励了，再设边界就没有意义了。
个人观点，如有错误还请指正。

同问波端口要怎么定义呀
如果是waveport肯定就不能定义平面波入射如果定义了平面波入射又怎么求S11和S21呀
ps:波导里为什么要填充介质呀?真空不可以吗?已经定义基板的材料

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