“一个1乘1cm2，有20um厚电介质的正方形导体平面构成的裸露的电源/地平面对被测试。这个电介质是FR4，相对介电常数为4.4。电流激流和测试端口分别在（3.5，5.7）（mm）和（6.5，6.2）（mm）。在这些平面对上没有元件。
图4显示了平面的插入损耗（S21）。在HFSS中，端口是一个导致寄生电容和电感的过孔。”
请问其中的电流激励源和测试点是怎么加的？我最初在激励点和测试点处画了两个过孔，然后都设置成激励源，结果什么都没有啊？
不能设置两个激励的吧？应该是一个激励端口，一个测试端口，具体的，你能吧文献传上来吗？
这是源文档，求教了
Power Integrity Simulation for SiP Using GTLE.pdf (931 K)
应该是同轴馈电的
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