找出同轴线馈电的矩形微带天线的最佳馈电位置使其与常用的50欧姆的同轴线匹配，遇到的问
题如下，
1、solution type是不是应选Driven Terminal。
个人理解如果对传播的模式感兴趣，就选Driven model,对于想解决类似电路中的问题就
用Driven Terminal，因为我找馈电位置，与路中阻抗接近，所以用后者。对不对呢？
2、假设只沿Y轴移动，把所有端口、同轴线内芯等有关的Y坐标都改为本地变量location-y，然
后进行参数扫描。
问题一：端口是WavePort还是LumpPort？虽然网站里有解释，一直没有自己的体会。个人认为
是LumpPort，对不对？
个人的理解总感觉Driven Terminal和Lump Port好像电路性要强一些，不知道对不对呢？以下问题都假设用LumpPort。
问题二：它的Terminal Line不会跟着移动，怎么办？
问题三：设置了Full Port Impedance中的Resistance为50欧姆，是不是输出结果Port Z0就是50定了，就不会跟着端口的位置而改变了？
3、关于优化的过程，以下是个人的理解，看是不是正确
先参数扫描，找出大体哪个位置比较接近50，然后在对那个位置附近进行优化，目标函数是
不是应该让Port Z0接近于五十就可以了？
以上好多只是个人理解或猜测，有可能一开始就设置错了，但是到底怎么找呢？整个问题步骤希望能给出详细的介绍。
4、为什么运行时总是第一遍说无法保存结果，然后在运行一下就可以了？
自己顶上去，是太基础了，还是。
对于楼主仿同轴线馈电的矩形微带天线应该用WavePort而不是Lump Port
我觉得你建的模型一等有问题，Terminal Line是随端口一起移动。
可能是捕捉Terminal Line的端点时捕捉到非端口面上，所以就不能随端口一起移动。
楼上能说一下到底什么时候用这两种馈电方式吗，别人说的好似理解一些，但不会套用。
还有我说Terminal Line不动，我没有看到它不动，但设它坐标时用的都是数，觉得它位置就不会动了。
还有solution type中几种选择方式，大家能不能给一种能够套用的方法呢？
在这做个学习笔记：
一般的外部端口都设成wave port, 端口面的二维场解作为三维物体的一个边界条件来解。lump port可以用于三维物体内部端口，可以自己定义端口阻抗。lump port直接根据端口计算s参数。
另外帮助文件上有两句话：
1、They are used when modeling strip lines and other waveguide structures.(指wave port)
2、Use lumped ports for microstrip structures.
我初学，例子看得少，实际经验少，经常翻翻帮助文件，所以就称学习笔记好了。
但是我发现在lump port上设阻抗和不设阻抗，s11都一样，就不明白这个zs设得什么意思了。
学习笔记二：
Driven Modal Solution
Choose the Driven Modal solution type when you want HFSS to calculate the modal-based S-parameters of passive, high-frequency structures such as microstrips, waveguides, and transmission lines. The S-matrix solutions will be expressed in terms of the incident and reflected powers of waveguide modes.
Driven Terminal Solution
Choose the Driven Terminal solution type when you want HFSS to calculate the terminal-based S-parameters of multi-conductor transmission line ports. The S-matrix solutions will be expressed in terms of terminal voltages and currents.
lump port自己定义的端口阻抗是否匹配，是不是就看S参数的大小了，越小越匹配？如果找50欧姆匹配的怎么找呢
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