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存在上层介质块的微带耦合器设计问题

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要设计一个3dB耦合器,跟传统耦合器的区别是除了基板外,在微带上层还有一个介质块,该介质块会对原微带的50欧姆与35.35欧姆线长和线宽都有影响。于是我用hfss先仿真了存在介质块情况下的线长和线宽,然后再来做耦合器,但是结果跟想象的完全不一样。想请大家帮忙看看问题出在什么地方,谢谢啦。我是设计在2.4G的,仿真得到90°的50欧姆线长和线宽分别为11.4mm和0.58mm,35.35欧姆的线长和线宽分别为11.53mm和1.2mm。

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