Qu = pi*f0*td*( 10^(IL/20) )/( 10^(IL/20) - 1 )
我晕，你用本征模式计算，可以直接在solution data中直接看到无载Q值呵呵，还可以设计公式hfss直接可以画出Q值随结构尺寸变化的曲线。
谢谢你的回复。你说的方法我知道。现在我只是对我提到的那个公式很好奇，如果不用HFSS的本征模式计算，仅利用S参数能得到微带线谐振器的无载Q值吗？
这个我还没有研究过，呵呵。不过可以通过s参数计算外部q值，有在q值，这样可以根据和并联电阻类似的公式计算内部q值了
哦，谢谢哈。能告诉我怎么通过s参数计算外部q值吗？
你能上期刊网的话，直接搜索外部品质因素，或者耦合系数 随便那一篇文章都有通过S参数提取的方法。公式是中心频率除以负3db带宽就行
中心频率除以负3db带宽是求有载品质因数吧？
你仿真的时候只仿真输入输出耦合结构与最外面的谐振腔就行，我看外国文章上就是这样计算的
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