我先用ADS设计优化的，然后代入HFSS建模仿真，平行耦合但hfss为什么总是不收敛啊 用波端口在到20次的时候勉强收敛 但结果图形不好 通带的S11，S21都达不到要求
换成集总端口 干脆就不收敛了。
找遍hfss的例子都没看到有做微带线带通滤波器的哪位大大可以指点一下啊 我还是新手
我个人觉得你的大方向可能有问题。微带线在工作频率超过5G时，辐射损耗将会急剧增大。我做了个耦合微带线双通带滤波器，实物性能在5.2G通带时，损耗就到-4dB了，我现在的目标就是降低高频损耗，你的工作频率在10G以上，要控制在负2dB以内是不是有难度啊？如果你能解决的话一定要通知我哈。
hfss适合仿真三维结构，仿平面结构确实很难收敛。我仿的时候算到20步收敛值s也知道0.05左右。不过实物做出来还行。你要是有解决的方法也通知我一声啊，我也很困扰
用波端口的时候第22次能收敛到0.019 ，20次的时候收敛到0.03以下 ，此时的结果图 通带s21 要到-3dB多通带S11只有-8dB然后就是频率有点偏移 这达不到要求啊 怎么优化啊？您的意思是改用波导？
我看文献上说微带线工作频段最好在10G一下最好。你仿真的结果考虑到介质板的损耗没有?你实物做出来的话算好肯定比3db要大哈。你s11不好是因为得阻抗匹配不行，所以才这么差的。输入微带线的宽度和它离它最近谐振器的距离是影响阻抗匹配的最关键的两个因素。你把这个调一调，s21应该会好些。我仿真的时候在考虑到介质板损耗的情况下，s11能到﹣20db左右，但是通带插损在5.2G有-3.3db,2.4G有-1.5db,你还要考虑到实物的加工精度误差导致的损耗，sma与微带相接的损耗，这个大概有0.5db左右。我的介质板损耗角0.004.我看ieee上的文章用的介质板损耗角0.002.我把文章中的损耗角带入到我的模型中，仿真结果就比较好，滤波器实物就能达到指标。头大啊！
我的tanD=0.0009。 输入微带线的宽度和它离它最近谐振器的距离是影响阻抗匹配的最关键的两个因素。输入微带线的宽度和长度我是用ads的linecal算出来的啊 怎么改？ 它离它最近谐振器的距离？这两个不是挨着的吗 ？我新手哈
难道平行耦合真不行吗？
现在实验室那儿要我用平行耦合做个中心频率在12.5G的带通滤波器，仿真时S11最好也就-12.6dB。
正在找解决方法。
也可以 我后来的仿真做的N=3的 S11可以达到-20不过带外抑制就一般了
其实我后来也调出来了，N=6，S11达到-20，带外抑制比较一般，只有-40多一点。
现在正在做实物。不知道实物能达到什么样的指标。
最后感谢楼主给我回帖。
好，学习了
你对调整带宽有啥经验，指教指教啊！呵呵！
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