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毕业设计中遇到问题,设计RF MEMS开关

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按照附件中设计步骤出现了下列错误提示:[error] Initial mesh, process mesh3d : Error while opening or writing the mesh files. (7:32 AM 五月 16, 2007)
[error] Simulation completed with execution error on server: Local Machine. (7:32 AM 五月 16, 2007)
请问应如何解决.
我使用的是HFSS10.0,在边界设置中共面波导CPW中两侧地线应该如何设置?网格划分是否不用设置?谢谢! 描述:我设计时的操作步骤
RF MEMS开关的设计与仿真.rar (5 K)

这份资料真是太好了,非常感谢楼主。
但对于具体建模,我还是感到无从下手,特别是这种开关状态怎么设置,是不是分两次仿真?但是在关态下,还要加个电源?(HFSS怎么加?)如果可以的话,楼主把你具体的仿真模型发我们一份,非常感谢!

你提到的第一个问题其实问题不大,是不是把原先的文件delete了?
CPW两侧的地线就设置pec,不用作额外的设置吧

仿真过程是分"开"和"关"两次仿真,关态是外加一直流电压,产生静电力使上层金属膜下拉,是微带线电容增大.我利用HFSS建立的HF MEMS开关模型在下面附件中.感谢指点. 描述:我利用HFSS建立的HF MEMS开关模型
我利用HFSS建立的RF MEMS开关模型.rar (7 K)

CPW的地我设置的材料是金,我想问的是:在边界设置的过程中是否所有的金属都设定为理想E面?而下面的设置是否要在无限地平面前打上钩呢?使其设定为无限地平面?

我的信号端口在我的建模中应如何设置?网格划分是否不用设置,直接默认?

我没做过RF仿真,不过楼主的网格初始化问题也遇到过,一般是由于建模过程中尺寸比例过大引起的,比如出现特细特薄的三维模型。可以通过调整尺寸比例或用二维边界代替原三维模型等方法予以修正。

一般情况下,可以把边界条件设置成都设置成pec,这样对结果影响不会是很大,如果你觉得有偏差的话,也可以设置成别的金属,像有时可以把微带线设置成Copper或是别的有耗材料。无限大平面可以不打勾,当然你的基板设置成了足够大了。关于CPW的端口设置,可以按照fullbook上设置成lumpport,(但我以前试了下,当中间导带比较宽时,算出来不准确),也可以设置成waveport,具体看附近中的文献。关于网格剖分多少,因为我没有仿真过这方面的东西,也不好说什么,不好意思。 描述:waveport
port.pdf (105 K)

这是我的仿真结果,请楼主点评下,另外一种状态怎么办?如何加电源?
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我的设计课题主要是仿真开关在无直流偏置电压时Ka波段开关的插入损耗和在一定支流偏置电压下开关的隔离度.我建立的模型是将中心频率设置在30GHZ,在5GHZ40GHZ的仿真过程.请问如何通过结果说明插入损耗.直流偏压好象应该加在上下表面吧

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