现在位置:首页 > 微波射频和天线设计 > HFSS > 使用讨论 > 使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件?

使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件?

录入:mweda    点击:
使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件?
因为之前尝试使用LUMPER PORT端口,辐射边界是包围电路的air腔体
在使用WAVE PORT,腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小
请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界?这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗?这样的结果是否是准确的
因为看hfss的一个full book里面的一个via模型,也是按WAVE PORT设置的,电路板的边界与空气腔体全接触,使用的也是辐射边界
另外,好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面
它跟辐射边界有什么区别么?
希望有经验的朋友指点指点,一直比较困惑

看到你在在另一个网站发的帖子了两者求解方式不同,肯定会有一定差异,不过我试过的模型,差别不是特别大对于这个,我也不是很懂,帮顶一下吧

根据HFSS的Help文档里面的定义。Waveport应该是一个在腔体外部提供激励源的模型。因为对于HFSS里默认的电磁场边界,应该是没有信号出或者入的。Help文档里原句为“By default, the interface between all 3D objects and the background is a perfect E boundary through which no energy may enter or exit. ”所以一般定义Waveport为一个外部馈电的端口,而Lumped Port为内部端口。所以,一般都把Waveport定义在空气腔体之外。当然也可以使之与空气腔体某个面相接触。但是建议这个面不要设为Rdaition。因为我个人认为,波端口应该是不参与辐射的,而如果与之接触的面为辐射边界,那么可能软件也将端口信号参与到了辐射的计算,劣化了方向图。
以上,个人经验看法,谨供参考。若有不对之处,还请后续跟帖的网友批评指正。

关于上一条回复,我仔细找了资料来看,我认为其实是否和辐射边界重叠是无所谓的。另外,如果你用同轴线馈电,要注意确保场的单向性。关于我楼上所说,是我个人使用习惯问题。另外关于你所看到的例子是否指的是那个关于Patch天线的实验呢?我个人认为,空气盒子把整个天线的Radition Pattern包含在内就可以了。如果基板或者电路板什么的你认为它不参与辐射,大可以不包括在内。
以上,个人看法,谨供参考。还请后续跟帖的网友批评指正。

附件是原始参考教材的例子
我用HFSS13重新绘制了这个结构,原来的例子没有FR4介质,我在工程里面都加上了
LUMPER_WAVE.rar
HFSS中文教程(扫描).pdf

使用中也发现HFSS_Via_Wizard生成的工程文件也是直接将air腔体设置成辐射边界;不知这样的设置道理何在?
而且看过full book关于类似的例子也是这么弄的
实感比较困惑

“wave port是以平面能量來計算,lump port是以V/I來計算,理論上兩者可以得到同樣的S-parameter模擬結果。”
有介绍是这么说的,但如果存在差异问题可能在哪里呢?
使用中也发现HFSS_Via_Wizard生成的工程文件也是直接将air腔体设置成辐射边界;不知这样的设置道理何在?
而且看过full book关于类似的例子也是这么弄的
实感比较困惑

好吧.这和人家软件的设置以及计算方法有关。我没研究过这个。你有兴趣可以看看help文档。

问题是 如果前后左右面使用磁边界 上下使用辐射边界
得出的结果也存在差异

我看你发的实验指导中,包括传输线和过孔的定义都是理想导体而不是Perfect E。那么你的上下面为什么要使用辐射边界呢?

声明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需更专业、系统的学习HFSS,可以购买本站资深专家讲授的HFSS视频培训课程

上一篇:HFSS 3D方向图的问题
下一篇:添加新Lumped port 时未出现设置向导

HFSS视频培训课程