仿真结构均未修改，仅仅更改了空气腔体的边界条件
一个是理想磁边界，一个是辐射边界
那位朋友讲讲其中的缘故
第一张是辐射边界
第二张是理想磁边界
下面是使用集中端口LUMPER PORT的两种结果
也是按空气腔体为理想磁边界与辐射边界进行的仿真
第一张是理想磁边界
第二张是辐射边界
看着基本接近，辐射的db比理想的高 这应该也属于正常
你说的是什么。
使用WAVE PORT的问题：为何理想磁边界与辐射边界结果差异大？ Q9d`zR]
我有个问题：为什么你会预期这二种边界得出来的结果会一样? 可否讲讲其中的缘故?
我觉得你用lumped port得出来的结果比较奇怪! 但因看不清楚你的架构，不好说!
就是普通的微带走线，从top层经过一个via走到bottom层，上下均由完整的参考平面，走线的长度一样长
那为什么会觉得理想磁边界与辐射边界会一样?
或者说你认为理想磁边界代表什么意义呢?
我的意思是：为何使用集总端口+辐射边界 与 使用波端口+辐射边界 差异这么大？
波端口使用的时候，波端口所在面是否要设置成辐射边界？
但是在HFSS_Via_Wizard自动生成的工程文件里面也发现使用的WAVE端口+辐射边界
下面是分别使用集总端口与波端口的工程文件
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