自己之前做过终端短路的模型，也做过双端都加waveport的模型，两种模型仿真出的结果是有差别的。
各位坛子里的前辈，有没有做过单缝仿真的，请指导指导。
辐射特性应该一样吧，这两种只是在导纳计算上不同而已
谢谢楼上热心帮助。
那是不是可以理解为：
终端短路设置时，要观察S11参数，计算导纳的公式：S11=-Y/(2+Y)
而两端激励时，要观察S21参数，计算导纳的公式：S21=2/(2+Y)
以上计算方法，我是在一篇文献中看到的，文献中并未说明出处，所以，原理没有搞清楚
请问上面公式里的S11和S21是直接从仿真软件中以实虚部形式观察到的值吗？
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