具体参数如下：
最下面一层是Si，厚度525um
上面成长一层SiO2，厚度0.5um
然后在上面覆盖一层介质层，厚度10um
在介质层上面用铜作平面电感，厚度10um
我用HFSS仿真2G，扫描0.1-10G，网格数设置为10w，观察电感的Q值
发现仿真结果有以下几个问题：
1。在低频0.1-1G时，仿真曲线不平滑，有凸起
2。增加介质层厚度（从10->15->20->25->30等），按理Q应该增加，但仿真中10与15结果相近，20与25结果相近，以此类推。
我老板给出的结论是网格的问题，但是对于525um以及0.5um和10um，该如何分别设置网格比较合适，我曾简单试过，但没有理论根据，ms解决不了问题
下图是仿真的结果，麻烦大家出出主意，我是一个HFSS新手，对于电磁场理论知道的也不多，还请大家多多帮忙讨论讨论，谢谢了：）
最好能够附一个仿真源文件！
至于你说的，我想跟设置应该会有关系！不过，像这样晶体管级的设计，设置不能粗糙，网格划分精细点，牺牲一些仿真时间是必要的。
题外话：
这个是世界级的课题！
如果能够做出Q值超过100的半导体工艺螺旋电感，你可以去申请诺奖了！
谢谢楼上的牛人：）
我将仿真文件贴上，供大家参考
现在的问题还是低频时各种厚度介质层的曲线都重合
我准备分段仿真查看一下，即0.1-1G，1-3G，3-10G，中心点分别是0.5，2和6.5G
对于网格的划分
我才用的是自动划分
也曾用过手工分结构划分
但是结果变化不明显
很有可能是我手工划分得不对
因为我对有限元仿真及网格划分等知道得太少了，这是第一次做。
还请大家帮忙看看，谢谢了：）
btw：平面电感有做到100的吗？我看文献都没看到，我能做到25老板就可以让我毕业了：（
另外还加了一个文献的结果
RF_inducor_bcb=10um.rar (14 K)
呵呵，牛人不敢，道听途说的！
据说，目前最好的是30几！
曾经有仿真过平面电感，（基于PCB的）！
建议你采用八边型的，方形的磁场分布非常的不均匀。
像你这个尺寸这么大的要实现25的Q值应该不难！
文献上ms就是30
关键是老板要求仿真一定要准确，才能跑工艺流水
你这个应该是半导体工艺的吧！
那线圈、过孔为什么还用铜，半导体工艺可以实现吗？（这个在RFIC里面的做法我不是很清楚，还请多多指教！因为传统的半导体工艺是铝做金属导体的，过孔还真不知道怎么处理，应该不是铜吧！）
还有，你改变介质厚度，过孔高度，有没有相应跟着改变？
是半导体封装工艺
改变介质厚度
过孔绝对高度改变，相对不变
谢谢，有点收获了
lZ 是参照的哪篇文献啊，能不能给个名字啊
声明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需更专业、系统的学习HFSS，可以购买本站资深专家讲授的HFSS视频培训课程。
