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HFSS仿真并联电容式RF-MEMS开关中遇到问题

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我所仿真的例子是东南大学黄庆安老师所翻译的那本书(RF MEMS 理论设计技术)上的。
例子的剖面图如下:
仿真开关图如下:
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上图仿真的是开关在“up”态时的情况,并联电容式开关此时是通的,采用的端口是lump port, 外面的空气层都画了,图中隐去了,辐射边界也有。按照书上的性能指标,5-40GHz时,插入损耗应该在0.02-0.8db,而我仿出的插入损耗S21的值是几十个db,太大了,按道理此时的插入损耗是不可能这么大的,肯定是哪里错了。我仿真的插入损耗结果如下图所示:
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我仿真的例子也在上面,麻烦懂得同志指点一二,不胜感激!
另外,我把CPW上面的条带拿掉,单独测试3根条带,得到的S21也是几十个db,我感觉CPW上可能就有问题,但是始终找不出来。
另外这个端口如果用wave port应该怎么画?
希望懂得同志能帮我指出错误。谢谢!

为什么看不到你的lumped port?

下图为lumped port1的图,相应的在另一侧是lumped port2的图。
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很抱歉隔了这么长时间才回复,因为下面要写毕业论文了,东西才开始做,希望z3大哥以及其他的资深工程师能指点指点,多谢了!

哪位做过这个的能给点建议啊。为什么结果是反的了?

不能沉啊不能沉!

没人给点建议吗

端口设置得不对,还有电容式开关上面应该建立空气或者其他气体的散射场,而且高度应该跟衬底存在定的比例关系,好好看看HFSS仿真建模的要求,应该可以搞定。

恩,谢谢。这几天认真看了看,原来的确实不对,应该先设置好CPW,然后再加上开关悬梁。所以重新设计了CPW,采用了wave port,希望这次能搞定

不错,学习了

THanks for the file


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