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晶体管封装模型与静态工作点.

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向大家求助!
我将自己的问题简单描述下:用晶体管的design kits和偏置网络已得到想要的静态工作点,但是问题出现了,我用design kits加偏置网络代替晶体管s2p模型的时候(整个电路已有输入输出匹配网络),再进行直流仿真,这时晶体管的静态工作点已发生变化,而且变化不小,对仿真结果产生了影响...
这个问题怎么解决啊?ps:我想输入输出匹配电路已经参加了直流偏置的部分,那么怎样才能得到晶体管想要的静态工作点呢?
谢谢各位先

那只能通过调试偏置网络和匹配网络,将静态工作点调整到S2P文件的静态点。

后续:
封装模型的静态工作点已经调好,为什么仿真出的S参数以及驻波比等还不正确呢?
急啊现在原理图还没画完,那边催着要PCB了...
大家帮帮忙哦...

那你只能调整偏执网络了,调到静态点

可能是匹配电路前后没有加高频扼流圈吧!

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