但就是Vds=3V，Ids=60mA时的偏置电路搞不定啊。
怎么弄偏置电路也无法达到像S2P文件仿真那样的结果。
哪位高手曾经做过，请指点一下小弟，最好能把偏置电路附上啊。
多谢多谢啊。
用理想的电容电感 仿真的结果当然要好了，但是实际的偏置电路中的电容电感多少也参与了你的匹配电路 所以仿真的结果不一样是不足为奇的 。 只要不是很大的影响性能是可以接受的但是要做的和理想值一样那是不可能的。
你在电路中是否用了扼流圈？
谢谢楼上的指点啊
我现在压根不知道用哪种方法实现偏置好
原来仿真的时候用的是S2P文件
所以没考虑偏置问题
现在用PHFET模型
才考虑到偏置问题
也查到了几个偏置电路模型
但总达不到效果
有时搞不好S（2，1）都负的啦
希望用过的给点具体的指点吧
多谢啊
给它加一下反馈好像会有不错的效果，可以试一下。我也正在做试验呢，也不理想。
S2P文件仿真出来的结果是理想的静态工作点时候的情况，只作为设计初期的参考，再通过S参数小信号的仿真之后为了精确还需要调用ph的大信号参数模型，此时即便你加入的偏置条件如静态工作点时一致，其仿真结果有会有一定的不同的，只要把你所需要的指标调节到合适的情况就可以了，不需要完全追求二者结果的一致性。
哦
呵呵
谢谢楼上的
我再试试
多谢啊
不知道这个图没有帮助？
另外avagotech公司的网页（
http://www.avagotech.cn/products/product-detail.jsp?navId=H0,C1,C5230,C5088,P94057）有个AFT54143的项目，很详细，可能对你帮助。
楼上的可以给出静态工作点
呵呵
多谢多谢
多谢各位的指点
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