该芯片技术参数 ：1600-2200MHz， 10W 28V GSM；
N-CDMA时，28V IDQ=130mA Pout=1W
我的设计过程
1 先直流仿真
选取直流工作点，这里我选的VDS=30V,IDQ=525mA；
2 做LOAD_PULL 选取最大的输出功率
为了得到较高的线性 ，效率我是次要考虑的，这里仿真得到最大输出功率MAXPdel=45.52dBm，MAXPAE=42.01%,最佳负载RL=2.9+j*2.1,然后对RL做共轭匹配，在这里我选的是微带线并电容的方式（我不会贴图，只能描述了）；
3 做SOURCEPULL求最佳输入RS，
把做好的输出匹配加进来后作源牵引，这是发现了问题，这时的MAXPAE=18。6%，MAXPdel=38.2dBm，这俩个值都很差，经过多次输出匹配的调整自后达到了MAXPAE=38。6%，MAXPdel=42dBm左右，疑问是，不同的输出匹配结构会造成不同的源牵引的MAXPAE，MAXPdel值，该如何确定RS值那？
4 输入输出同匹配
输出电路按RL匹配好，输入电路按RS匹配好，都放入电路整体S参数仿真，这时 S11 S22差的一塌糊涂，S11约-7dB S22约-4dB,为了保持最大的输出功率 ，我保持输出匹配电路不动，只对输入电路器件优化调节 来改善 S11 S22 ，优化目标S11<-10dBS22<-10dB，但是始终难于优化到目标，这里把我难死了！难道是匹配电路的结构选的有问题？
5 最后勉强的到了S11=-8 dB S22=-10.5dB后我做谐波仿真，增益22dB，测得P_1dB约为38.5dBm（片子的P_1dB约40），不清楚这个管子做到到这个程度可以不了？，或者说按这个管子应该做到多少算正常的那？
6 互调测试，（失败了）
接下来做3阶互调，输入信号间隔2MHz，俩个信号大小8dBm ,测得互调仅-35dBc， 离目标差10dB，苍天啊 差很多啊！
射频工程师们很有经验的帮我分析下，
1 我的设计过程那里有问题？
2 在对输入输出S11 S22优化时，我可以改变输出电路的器件值吗？能微调下不？ 不调输出电路，S11 S22非常非常难都匹配到目标？
上面的红色的问题帮我分下下啊，拜谢你们了！
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