2. 在port的设置中，有一项reference plane,因为port不能接触端口，这个reference plane是不是用来确定结构的位置，使得从端口到结构的相位差被减掉呢？
3. 如果2成立，那么请问斜入射时候怎么样确定这个reference plane呢？而且在斜入射时候，unit cell和periodic的boundary condition肯定会使端口和结构接触而导致错误，请问怎样解决这个问题呢？
谢谢达人指教
1.E-wall ：Forces E-field perpendicular to the surface
H-wall ：Forces H-field perpendicular to surface, E-field tangential
period ：在一个方向是的周期延拓，表面场分布满足一维的Flouquet定理。
2.reference plane是在你关心的平面上设置，port与reference plane之间的相位差可以用波程差的概念得到。---你的问题我没看懂。
3.斜入射没涉及过，不清楚
谢谢您回复第一个问题的话，请问E-wall/H-wall是在哪种情况下的设置呢？
第二个问题是说从端口到结构的这段距离的相位差不应该算在“结构实际引起的相位变化”中，是不是就设置这个distance to reference plan来减掉这个“从端口到结构的相位变化“呢？
还没开始搞cst
1.比如说一个波导，采用波导端口激励，沿着Z方向入射，Z方向设为open边界，想要电场方向平行于x方向，那么x方向应设为理想电壁,y方向为理想磁壁，而不是X和Y方向都设为周期边界。
2.这个问题我之前也遇过，从端口到结构的这段距离的相位差不应该算在“结构实际引起的相位变化”中，结构实际引起的相位变化是一定的，由结构决定的，肯定存在一个cell结构大小对应的相位曲线L。但是仿真的时候这个reference plane的位置在结构中位置的不同，反映在port的相位变化上。但是不管你取的参考平面在哪个位置，这样得到的相位曲线S总是和L平行(这里我也不知道怎么表述，但愿能明白曲线平行)。后续的工作中就这个参考平面就不要变了，并以曲线S进行后面的设计，应该就没有什么问题了。据我认为是这样的哈。
说得有点乱
谢谢您的答复
第一个问题中，您的意思是如果设置成periodic,即使激发源为x方向polarization, 在传输过程中也是有可能产生y方向的E分量，而如果设置成电壁，就始终只有x方向有E分量。磁壁亦然.是这个意思吗？第二个问题，您的意思是说S是L的一个上下平移的曲线对吧？但有时候我们就是要确切知道这个phase change，而不是phase change 总体加减一个数啊
1.周期结构的话，肯定会有耦合出现。那么就会产生y方向的E分量。
设置电壁和磁壁，就可以避免这种情况。
但是注意的是，这个只是在仿真，而实际中是不会出现磁壁这种情况的。
2.这个问题我之前也在纠结，但是经过参考平面固定下来后，从port得到的相移曲线进行以后的工作，在我尝试了之后发现是行得通的。你也可以尝试一下，如果不行了，那我也就无能为力了。
之前我在做的时候，就是发现不同人的paper中，相移曲线按照同样的参考平面设置方法，得到的相移曲线是不同的。后来我发现在不同的paper中，他们选取的参考平面也就不同。
大概明白了，谢谢指教！
可以去国外的论坛上找找
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