从而导致端口S参数与HFSS仿真值以及实测值有很大的差异...
不知大家发现这方面的问题没有？
希望与大家讨论、交流！
附件是结合计算的一点说明
波导端口阻抗计算.rar (291 K)
hi newtec,
很早以来就有注意这个问题，下图贴了一个最近仿的按照50ohm标准同轴线尺寸和电介质建模的同轴端口计算结果，第一次计算为约44ohm，经过4次自适应加密后为49.84ohm。
详细看了一下你附件的中的分析。在我这个例子中，选不选Add electric shielding around port region选项影响不大，CST自带help file对该选项的解释如下：
Add electric shielding around port region: A metallic shielding surrounding the chosen port region will be added. This option causes higher reflections at ports. Therefore it should only be used if a calculation has become unstable.
基本同意你的分析。为什么“视为开放场”就会产生上下的电势差，对带线不太了解。那么有没有试过对微带线端口加上该选项会是什么结果，呵呵
另外，一直不知道CST是如何是对端口进行识别的，比如在我这个图中在定义端口时选不选中同轴线的外导体基本对结果没什么影响。
最后问一下你第一个图“CST的阻抗计算器”在哪里？我一直都是看的“Lin.Imp"，LZ用的是哪个版本呢？
谢谢drunkbear的回复
没有看到你的贴图，不知道4次自适应加密后的网格是多少，网格画的很密时是可以求得比较精确的解的，但我们可能更希望在较疏的网格便可以求得精确解，比如默认的10/10/10条件下，因为很多情况下加大网格密度会大量增加计算量，如果只是为了计算端口特性阻抗，显然不划算。
总的来说，觉得CST在求解2D端口模式场有问题，按道理说，10分之1波长的网格对于求端口模式应该足够，不知为什么计算不准
同轴线外面本来是PEC，因此加不加上述选项是一样的，对于带状线，则不一样，两边是开放的，选择上述选项构成封闭围线，上下层金属等势；不加的话CST会将上下层识别为不同的结构，相当于是多芯线结构，所以会出现如下提示：
The degeneration of TEM modes at the homogeneous port 1 could lead to undetermined modepatterns. It might be suitable to define a multipin port instead.
当然，如果模型中本身在端口上设置了金属边界，该选项就没有意义了
实际上，在HFSS中，对于波导端口，是始终假设端口四壁是PEC的。
在macros->calculate->calculate analytical line impedance 很早的版本就有
目前用的是2006 ， 2006B也在用
由于系统报错，认为端口的网格太粗糙，我采用了20/20/10的网格条件。同时根据对称性选择了磁壁对称面，所以下面的网格数实际为总数的一半。
第一次网格划分：104976，Lin.Imp=44.1617ohm
最后一次网格加密后（第四次）：542360，Lin.Imp=49.8420ohm
其实我注意到，再进行第二次加密的时候，端口阻抗的精确度已经提高了很多。
同意你的看法，如果仅仅是因为端口的网格粗糙而修改全局剖分精度，代价是很巨大的，但局部加密我还不太熟。
阻抗计算器我看到了，太土了，之前都没用过。很高兴和你进行讨论，否则也不会很用心地去注意这些问题^^
感谢 ！非常急需！
呵呵 学了不少
最近仿真一个同轴腔体
用HFSS和CsT仿真发现频率差了3M 最后还是按HFSS的
楼主，跟帖提个问题。
模式是TEM或准TEM模时，软件会给出LINE 阻抗。我们的S11是根据线阻抗归一化的。
但是当模式是TE或TM 模时，S11是根据什么归一化出来的？
？
确实如此啊，我按50欧姆算了一个CPWG的端口，CST仿真之后阻抗居然是60多，晕……
今天学到一些东西
但还是没有注意到波导端口的阻抗是怎么算的，鄙人愚钝
声明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需更专业系统地学习CST，可以购买资深专家讲授的CST最新视频培训课程。
