有个项目，要设计一个耐功率大于20kW（峰值）/2kW（平均）的合成器。我考虑微波器件的功率容量主要是峰值功率时器件内最大场强处的电场强度是否达到空气的击穿值，另外平均功率主要是考虑由于各种损耗的存在而使得器件内部温度升高，如果温度升高到一定程度，破坏器件的性能。
因此我想使用CST MWS，建模后进行时域仿真时，将输入端口的馈电幅度增大到峰值功率对应的幅度，然后仿真计算内部的电场分布，看电场的极值是否达到空气的击穿值；
使用CST MWS和CST EMS协同仿真计算的方法计算器件输入端口馈电幅度对应平均功率时内部的温度场分布，看温度的极值是否超过内部介质支撑块的熔点，以及是否可能产生其他影响器件性能的结果。
不知道以上的分析是否合适合理？大家一起讨论讨论。
我来抢沙发。
对于大功率问题，我很少涉及。
路过飘过
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