Results看结果里面不是有个看Z参数的吗？有个实部、虚部可以看阻抗的电阻、电抗，呵呵呵呵呵呵呵呵呵呵
在结果中可以看到的。不是有一个SMITH图吗。这个就是可以看出阴坑的呀。
多谢楼上的指点，但是我想看的是特性阻抗啊，不是Z参数啊。这应该不是一个概念吧？
应该是设置波端口时不归一化为５０欧姆，仿真后从ＲＥＳＵＩＴＳ中看端口阻抗．
楼上:
这样能得到的就是端口阻抗么? 那么如果是LUMP PORT 不归一话,也能得到端口处的阻抗么?
期待回答
楼上的这个问题问的真的很有意思！个人对集总参数端口的理解就有点模糊。其实问题主要就集中在对归一化的理解上面。用波端口不归一化进行计算算出来的应该是端口的特性阻抗。但是归一化以后呢，计算出来的特性阻抗就变为了归一化的这个阻抗值。如果把归一化理解成后面接了一个阻抗值为所设的归一化值的负载阻抗的话，集总参数端口，首先就要设的那个阻抗该理解成什么呢？希望有高手点解下啊！
如果采用waveport，可以通过portz0来看特性阻抗。我认为lumped port是一种理想化设置，其S参数的仿真结果与waveport相同。
lump port 里面有的吧
可以看实部和虚部。
实际应该与设置的50欧差不多？
这个问题很有帮助，谢谢高手们
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