要实现模式在端口处的匹配是不是要full port impedance 输入的值等于端口的特性阻抗呢？
还有什么因素影响端口的特性阻抗的大小呢？
waveport的特性阻抗是入射功率和场分布计算出来的，影响特性阻抗的因素有端口面的大小、频率和材料参数等。
我认为设置规一化端口阻抗是为了满足工程上的需要（比如同轴溃线的50ohm），与计算得到的特性阻抗没有关系。
阻抗匹配是端口阻抗与输入阻抗的匹配（Z0和Z matrix），当二者相等时是完全匹配的无反射状态。
对于端口的理解我也有很多疑惑，比如端口处的场分布是怎么得到的？waveport和lumpedport在计算S参数上到底有何区别？如何确定一个任意端口的求解模式等等。问题多多。
感谢flyrock ，明白很多。
我也谈一下我的学习体会：从我的模拟结果来看，Port Z0 是一个常数（当模型建好，也就是端口面的大小和材料参数确定后），不随频率变化。而Z matrix是随频率变化的。Z matrix 和 Z0 相等的机会很少，这说明匹配不好么？这样得到的S参数准确么，会和实验结果有多大的差别？
如果追求匹配，应该改善设计，使Z matrix 接近Z0,我的理解正确么？
糊涂了，特性阻抗是与频率的无关量。谢谢更正!
Zmatrix等于Z0是理想情况，一般驻波比小于某个值即认为达到了匹配状态，或者通过阻抗匹配网络来匹配。匹配状态与模型结构和端口设置有关，S参数的的准确性与仿真精度和端口设置有关，S参数与匹配状态似乎没有直接关系。
"S参数的的准确性与仿真精度和端口设置有关"
仿真精度可以理解，端口设置影响S参数的准确性能讲的具体一些吗？比如对波端口来说。
“S参数与匹配状态似乎没有直接关系。”s11不是反映匹配状态吗？
应该是S参数的准确性与匹配状态没直接关系。只要模型和端口设置没问题，S参数就应该是精确的，我曾经用同轴波导的S参数反推过介质的电磁参数，能得到很高的精确度。
端口设置会影响特性阻抗和模式激励，比如端口面的大小设置，就会对S参数产生影响，这在微带传输线里似乎更明显些。
请问波端口阻抗默认就是Z0吗？
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